2N3637 pdf, 2N3637 подробное описание детали, 2N3637 датащи, 2N3637 view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	2N3637

подробное описание детали	RADIATION HARDENED

объем файла	233.24 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5

производитель	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

домашняя страница	http://www.microsemi.com

Logo

Аналогичный номер детали - 2N3637

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Seme LAB	2N3637	20Kb / 2P	PNP SILICON TRANSISTOR
Boca Semiconductor Corp...	2N3637	219Kb / 6P	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON)
Microsemi Corporation	2N3637	57Kb / 2P	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
Microsemi Corporation	2N3637	174Kb / 5P	PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Seme LAB	2N3637	28Kb / 2P	PNP SILICON TRANSISTOR

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Aeroflex Circuit Techno...	UT69RH051	347Kb / 19P	Radiation-Hardened MicroController
International Rectifier	IRHMS57260SE	184Kb / 8P	RADIATION HARDENED POWER MOSFET
International Rectifier	IRHM7250SE	140Kb / 8P	RADIATION HARDENED POWER MOSFET
List of Unclassifed Man...	UT69RH051	182Kb / 18P	Radiation-Hardened MicroController
Actel Corporation	RH1280-CQ172V	249Kb / 30P	Radiation-Hardened FPGAs
International Rectifier	IRHLUB7970Z4	231Kb / 11P	RADIATION HARDENED
Microsemi Corporation	2N2221A	144Kb / 7P	RADIATION HARDENED
	2N2906A	105Kb / 6P	RADIATION HARDENED
	2N3498	111Kb / 3P	RADIATION HARDENED
Xilinx, Inc	DS692	1Mb / 41P	Radiation-Hardened