GT60M301 pdf, GT60M301 подробное описание детали, GT60M301 датащи, GT60M301 view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	GT60M301

подробное описание детали	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)

объем файла	292.45 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5

производитель	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

домашняя страница	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

Logo

Аналогичный номер детали - GT60M301

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Toshiba Semiconductor	GT60M301	835Kb / 16P	Discrete IGBTs

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Toshiba Semiconductor	2SD2440	168Kb / 3P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITHCING APPLICATIONS)
	2SK1529	181Kb / 3P	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
	2SK2467-Y	92Kb / 1P	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
	GT40M301	271Kb / 5P	N CHANNEL TMOS TYPE(HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
	GT40T101	207Kb / 3P	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
	GT50J322	254Kb / 5P	N CHANNEL MOS TYPE (THE 4TH CENERATION CURRENT RESONACE INVERTER SWITHCING APPLICATIONS)
	GT60M302	275Kb / 5P	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
	GT80J101	228Kb / 4P	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
	HN1L02FU	334Kb / 6P	N CHANNEL MOS TYPE, P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS)
	2SK1529	490Kb / 4P	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)