LGE3M18120K pdf, LGE3M18120K подробное описание детали, LGE3M18120K датащи, LGE3M18120K view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	LGE3M18120K

подробное описание детали	Silicon Carbide Power MOSFET

объем файла	6964.34 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9

производитель	LUGUANG [Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd]

домашняя страница	http://www.luguang.cn/web_en/index.html

Logo

Аналогичный номер детали - LGE3M18120K

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Shenzhen Luguang Electr...	LGE3M14120Q	9Mb / 11P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20230215-P1
	LGE3M160065B	11Mb / 11P	N-Channel SiC Power MOSFET Revision:20241125-P1
	LGE3M160120B	2Mb / 9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M160120E	1Mb / 5P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M160120Q	2Mb / 9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Cree, Inc	C2M0080120D	1Mb / 10P	Silicon Carbide Power MOSFET
GeneSiC Semiconductor, ...	GR25MT12K	875Kb / 1P	Silicon Carbide Power MOSFET
	GR40MT12J	857Kb / 1P	Silicon Carbide Power MOSFET
	GR40MT12K	874Kb / 1P	Silicon Carbide Power MOSFET
	GR1000MT17D	835Kb / 1P	Silicon Carbide Power MOSFET
Shenzhen Luguang Electr...	LGE3M14120Q	9Mb / 11P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20230215-P1
	LGE3M160120Q	2Mb / 9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M40065B	3Mb / 9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M80120J	2Mb / 8P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M80120Q	2Mb / 9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1