LL1608--FSL18NJ pdf, LL1608--FSL18NJ подробное описание детали, LL1608--FSL18NJ датащи, LL1608--FSL18NJ view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	LL1608--FSL18NJ

подробное описание детали	Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

объем файла	1134.31 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

производитель	NXP [NXP Semiconductors]

домашняя страница	http://www.nxp.com

Logo

Аналогичный номер детали - LL1608--FSL18NJ

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
TOKO, Inc	LL1608-F10N	362Kb / 2P	STANDARD PARTS SELECTION GUIDE
	LL1608-F12N	362Kb / 2P	STANDARD PARTS SELECTION GUIDE
	LL1608-F15N	362Kb / 2P	STANDARD PARTS SELECTION GUIDE
	LL1608-F15NK	362Kb / 2P	Laminated ceramic allows high SRF
	LL1608-F18N	362Kb / 2P	STANDARD PARTS SELECTION GUIDE

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Freescale Semiconductor...	MRFG35002N6T1	193Kb / 12P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35020AR1	460Kb / 12P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35002N6AT1	187Kb / 11P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35003N6AT1	221Kb / 11P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35005MT1	132Kb / 12P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35003M6T1	132Kb / 12P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35003ANT1	473Kb / 18P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35005ANT1	452Kb / 13P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35010MT1	516Kb / 12P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
NXP Semiconductors	MRFG35010A	490Kb / 18P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Rev. 2, 12/2008