SSG4935P pdf, SSG4935P подробное описание детали, SSG4935P датащи, SSG4935P view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	SSG4935P

подробное описание детали	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

объем файла	1178.9 Kbytes

Html View	1 2 3 4

производитель	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

домашняя страница	http://www.doingter.cn/

Logo

Аналогичный номер детали - SSG4935P

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
SeCoS Halbleitertechnol...	SSG4935P	464Kb / 4P	P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	SSG4935P	464Kb / 4P	P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	AO4805	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AP4957GM	544Kb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	HAT1016R	1Mb / 5P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SPP4925B	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SPP4953	1Mb / 5P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	STM4953	1Mb / 5P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	STM4973	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	STS4DPF30L	1Mb / 5P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	UM3203	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	UT4957G-S08-R	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology