PF08109B pdf, PF08109B подробное описание детали, PF08109B датащи, PF08109B view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	PF08109B

подробное описание детали	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone

объем файла	249.03 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

производитель	RENESAS [Renesas Technology Corp]

домашняя страница	http://www.renesas.com

Logo

Аналогичный номер детали - PF08109B

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Hitachi Semiconductor	PF08103A	42Kb / 8P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone
Hitachi Semiconductor	PF08103B	34Kb / 7P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Hitachi Semiconductor	PF01410A	25Kb / 4P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone
	PF01411A	25Kb / 4P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone
	PF01411B	26Kb / 4P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone
	PF01412A	25Kb / 4P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone
	PF08103A	42Kb / 8P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone
	PF08103B	34Kb / 7P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone
Renesas Technology Corp	E2081606_PF08127B	183Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
	PF08134B	123Kb / 14P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
	PF08127	140Kb / 18P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone Oct. 2002
	PF08134	138Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone May 13, 2004