PTAB182002FC pdf, PTAB182002FC подробное описание детали, PTAB182002FC датащи, PTAB182002FC view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	PTAB182002FC

подробное описание детали	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 190 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz

объем файла	569.58 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

производитель	CREE [Cree, Inc]

домашняя страница	http://www.cree.com/

Logo

Аналогичный номер детали - PTAB182002FC

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Infineon Technologies A...	PTAB182002FC	1Mb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET Rev. 04.1, 2016-06-09
	PTAB182002FCV1R0	1Mb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET Rev. 04.1, 2016-06-09
	PTAB182002FCV1R0XTMA1	1Mb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET Rev. 04.1, 2016-06-09
	PTAB182002FCV1R250	1Mb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET Rev. 04.1, 2016-06-09
	PTAB182002FCV1R250XTMA1	1Mb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET Rev. 04.1, 2016-06-09

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Infineon Technologies A...	PXFC193808SV	196Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 380 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz Rev. 02.1, 2015-01-13
	PXAC182002FC	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz Rev. 02.3, 2016-06-17
	PXAD184218FV	339Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz Rev. 02.1, 2016-12-07
Cree, Inc	PXAE183708NB	486Kb / 6P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PXAE184408NB	1Mb / 6P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 450 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PXAC182002FC	495Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PXAD184218FV	465Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PTFB181702FC	554Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 170 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PXFE181507FC	550Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 175 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
WOLFSPEED, INC.	PXFE181507FC	695Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 175 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz Rev. 04, 2023-06-28