поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

MCTV35P60F1D датащи (PDF) - Intersil Corporation

MCTV35P60F1D Datasheet PDF - Intersil Corporation
номер детали MCTV35P60F1D
скачать  MCTV35P60F1D скачать
объем файла   53.89 Kbytes
Page   5 Pages
производитель  INTERSIL [Intersil Corporation]
домашняя страница  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
подробное описание детали 35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode

MCTV35P60F1D Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
MCTV35P60F1D Datasheet PDF - Intersil Corporation

номер детали MCTV35P60F1D
скачать  MCTV35P60F1D Click to download

объем файла   53.89 Kbytes
Page   5 Pages
производитель  INTERSIL [Intersil Corporation]
домашняя страница  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
подробное описание детали 35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode

MCTV35P60F1D датащи (HTML) - Intersil Corporation


MCTV35P60F1D Информация о продукте

Description
The MCT is an MOS Controlled Thyristor designed for switching currents on and off by negative and positive pulsed control of an insulated MOS gate. It is designed for use in motor controls, inverters, line switches and other power switching applications. The MCT is especially suited for resonant (zero voltage or zero current switching) applications. The SCR like forward drop greatly reduces conduction power loss.
MCTs allow the control of high power circuits with very small amounts of input energy. They feature the high peak current capability common to SCR type thyristors, and operate at junction temperatures up to +150oC with active switching. This device features a discrete anti-parallel diode that shunts current around the MCT in the reverse direction without introducing carriers into the depletion region.

Features
• 35A, -600V
• VTM = -1.35V (Max) at I = 35A and +150°C
• 800A Surge Current Capability
• 800A/µs di/dt Capability
• MOS Insulated Gate Control
• 50A Gate Turn-Off Capability at +150°C
• Anti-Parallel Diode




Аналогичный номер детали - MCTV35P60F1D

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Intersil Corporation
MCTV65P100F1 INTERSIL-MCTV65P100F1 Datasheet
46Kb / 5P
65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
MCTV75P60E1 INTERSIL-MCTV75P60E1 Datasheet
50Kb / 5P
75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
logo
Texas Instruments
MCTV8376ZS-Q1 TI2-MCTV8376ZS-Q1 Datasheet
2Mb / 77P
MCT8376Z-Q1 Sensored Trapezoidal Integrated FET BLDC Motor Driver
DECEMBER 2025
More results


Аналогичное описание - MCTV35P60F1D

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Fairchild Semiconductor
HGTG10N120BND FAIRCHILD-HGTG10N120BND Datasheet
110Kb / 8P
35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
logo
Intersil Corporation
HGTG10N120BND INTERSIL-HGTG10N120BND Datasheet
82Kb / 7P
35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
January 2000
HGTG15N120C3D INTERSIL-HGTG15N120C3D Datasheet
101Kb / 9P
35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
May 1997
MCT3A65P100F2 INTERSIL-MCT3A65P100F2 Datasheet
67Kb / 8P
65A, 1000V, P-Type MOS-Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
MCTG35P60F1 INTERSIL-MCTG35P60F1 Datasheet
50Kb / 5P
35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
MCTV65P100F1 INTERSIL-MCTV65P100F1 Datasheet
46Kb / 5P
65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
MCTV75P60E1 INTERSIL-MCTV75P60E1 Datasheet
50Kb / 5P
75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
logo
IXYS Corporation
MMIX1H60N150V1 IXYS-MMIX1H60N150V1 Datasheet
207Kb / 5P
1500V MOS Gated Thyristor w/ Anti-Parallel Diode
IXHX40N150V1HV IXYS-IXHX40N150V1HV Datasheet
180Kb / 4P
1500V MOS Gated Thyristor w/ Anti-Parallel Diode
logo
Nell Semiconductor Co.,...
NK100KQ NELLSEMI-NK100KQ Datasheet
825Kb / 5P
Anti-parallel Thyristor Module
More results




О Intersil Corporation


Mretsil Corporation была американской полупроводниковой компанией, которая специализировалась на разработке и производстве высокопроизводительных аналоговых и смешанных интегрированных цепей.
Компания была основана в 1967 году и была известна своей опытом в области управления энергетикой, конверсии данных и радиочастотных (RF).
Продукты Intersil использовались в широком спектре применений, таких как потребительская электроника, промышленность, телекоммуникации, аэрокосмическая и защита.
В 2016 году Intersil была приобретена Renesas Electronics Corporation, японской полупроводниковой компании.
Бренд и технология Intersil продолжают разрабатывать и продавать в рамках портфеля продуктов Renesas.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com