поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

IRF231 датащи (PDF) - Intersil Corporation

IRF231 Datasheet PDF - Intersil Corporation
номер детали IRF231
скачать  IRF231 скачать

объем файла   69.65 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  INTERSIL [Intersil Corporation]
домашняя страница  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
подробное описание детали 8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF231 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
IRF231 Datasheet PDF - Intersil Corporation

номер детали IRF231
скачать  IRF231 Click to download

объем файла   69.65 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  INTERSIL [Intersil Corporation]
домашняя страница  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
подробное описание детали 8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF231 датащи (HTML) - Intersil Corporation

IRF231 Datasheet HTML 1Page - Intersil Corporation IRF231 Datasheet HTML 2Page - Intersil Corporation IRF231 Datasheet HTML 3Page - Intersil Corporation IRF231 Datasheet HTML 4Page - Intersil Corporation IRF231 Datasheet HTML 5Page - Intersil Corporation IRF231 Datasheet HTML 6Page - Intersil Corporation IRF231 Datasheet HTML 7Page - Intersil Corporation

IRF231 Информация о продукте

Description
These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features
• 8.0A and 9.0A, 150V and 200V
• rDS(ON) = 0.4Ω and 0.6Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
   - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”




Аналогичный номер детали - IRF231

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Samsung semiconductor
IRF231 SAMSUNG-IRF231 Datasheet
212Kb / 5P
   N-CHANNEL POWER MOSFETS
logo
Fairchild Semiconductor
IRF231 FAIRCHILD-IRF231 Datasheet
177Kb / 6P
   N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF231 NJSEMI-IRF231 Datasheet
106Kb / 3P
   N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
IRF231 NJSEMI-IRF231 Datasheet
106Kb / 3P
   N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF231 ISC-IRF231 Datasheet
48Kb / 2P
   High Power,High Speed Applications
More results


Аналогичное описание - IRF231

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Intersil Corporation
IRF220 INTERSIL-IRF220 Datasheet
68Kb / 7P
   4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Harris Corporation
IRFD210 HARRIS-IRFD210 Datasheet
360Kb / 6P
   0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS
logo
Intersil Corporation
IRF9230 INTERSIL-IRF9230 Datasheet
72Kb / 7P
   -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF120 INTERSIL-IRF120 Datasheet
68Kb / 7P
   8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs
RFL1N12 INTERSIL-RFL1N12 Datasheet
43Kb / 5P
   1A, 120V and 150V, 1.9 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP2N12 INTERSIL-RFP2N12 Datasheet
35Kb / 5P
   2A, 120V and 150V, 1.750 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFL4N12 INTERSIL-RFL4N12 Datasheet
31Kb / 4P
   4A, 120V and 150V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFL1N18 INTERSIL-RFL1N18 Datasheet
43Kb / 5P
   1A, 180V and 200V, 3.65 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFK25N18 INTERSIL-RFK25N18 Datasheet
42Kb / 5P
   25A, 180V and 200V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFM12N18 INTERSIL-RFM12N18 Datasheet
35Kb / 4P
   12A, 180V and 200V, 0.250 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
More results




О Intersil Corporation


Mretsil Corporation была американской полупроводниковой компанией, которая специализировалась на разработке и производстве высокопроизводительных аналоговых и смешанных интегрированных цепей.
Компания была основана в 1967 году и была известна своей опытом в области управления энергетикой, конверсии данных и радиочастотных (RF).
Продукты Intersil использовались в широком спектре применений, таких как потребительская электроника, промышленность, телекоммуникации, аэрокосмическая и защита.
В 2016 году Intersil была приобретена Renesas Electronics Corporation, японской полупроводниковой компании.
Бренд и технология Intersil продолжают разрабатывать и продавать в рамках портфеля продуктов Renesas.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com