HGTP3N60B3D датащи(PDF) - Intersil Corporation

поискавой системы для электроныых деталей

ALLDATASHEETRU.COM

X

HGTP3N60B3D датащи (PDF) - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet PDF - Intersil Corporation


номер детали	HGTP3N60B3D

скачать	HGTP3N60B3D скачать

объем файла	154.31 Kbytes

Page	7 Pages

производитель	INTERSIL [Intersil Corporation]

домашняя страница	http://www.intersil.com/cda/home

Logo

подробное описание детали

7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

HGTP3N60B3D Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

скачать датащи

HGTP3N60B3D Datasheet PDF - Intersil Corporation


номер детали	HGTP3N60B3D

скачать	HGTP3N60B3D Click to download

объем файла	154.31 Kbytes

Page	7 Pages

производитель	INTERSIL [Intersil Corporation]

домашняя страница	http://www.intersil.com/cda/home

Logo

подробное описание детали	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

HGTP3N60B3D датащи (HTML) - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 1Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 2Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 3Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 4Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 5Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 6Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 7Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Информация о продукте

The HGTP3N60B3D and HGT1S3N60B3DS are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower onstate voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRD460. The IGBT used is TA49192.

Features
• 7A, 600V TC = 25°C
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 115ns at TJ = 125°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode
• Related Literature
• TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
- Components to PC Boards

Аналогичный номер детали - HGTP3N60B3D

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Intersil Corporation	HGTP3N60B3	141Kb / 7P	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs January 2000

Аналогичное описание - HGTP3N60B3D

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Harris Corporation	HGTG12N60C3D	102Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG20N60B3D	179Kb / 7P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG20N60C3D	123Kb / 8P	45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	HGTG12N60C3D	98Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG20N60B3D	135Kb / 6P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG30N60B3D	109Kb / 7P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG12N60C3D	124Kb / 8P	24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
Fairchild Semiconductor	HGTG30N60B3D	228Kb / 8P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Harris Corporation	HGTP3N60C3D	394Kb / 11P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Harris Corporation	HGTG30N60C3D	131Kb / 8P	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

О Intersil Corporation

Mretsil Corporation была американской полупроводниковой компанией, которая специализировалась на разработке и производстве высокопроизводительных аналоговых и смешанных интегрированных цепей.
Компания была основана в 1967 году и была известна своей опытом в области управления энергетикой, конверсии данных и радиочастотных (RF).
Продукты Intersil использовались в широком спектре применений, таких как потребительская электроника, промышленность, телекоммуникации, аэрокосмическая и защита.
В 2016 году Intersil была приобретена Renesas Electronics Corporation, японской полупроводниковой компании.
Бренд и технология Intersil продолжают разрабатывать и продавать в рамках портфеля продуктов Renesas.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.

ссылки URL

Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ]

Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com