поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

NESG220034 датащи (PDF) - Renesas Technology Corp
NESG220034 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
номер детали NESG220034
скачать  NESG220034 скачать
объем файла   226.87 Kbytes
Page   11 Pages
производитель  RENESAS [Renesas Technology Corp]
домашняя страница  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
подробное описание детали NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

NESG220034 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
NESG220034 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

номер детали NESG220034
скачать  NESG220034 Click to download

объем файла   226.87 Kbytes
Page   11 Pages
производитель  RENESAS [Renesas Technology Corp]
домашняя страница  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
подробное описание детали NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

NESG220034 датащи (HTML) - Renesas Technology Corp


NESG220034 Информация о продукте

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION
3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.
   NF = 0.7 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
• PO (1 dB) = 22.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =12.5 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 11.5 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.
• 3-pin power minimold (34 PKG)




Аналогичный номер детали - NESG220034

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
NEC		 NESG220034 NEC-NESG220034 Datasheet
97Kb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
NESG220034-A NEC-NESG220034-A Datasheet
97Kb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
logo
Renesas Technology Corp		 NESG220034-A RENESAS-NESG220034-A Datasheet
137Kb / 2P		 RF & Microwave device
logo
NEC		 NESG220034-T1 NEC-NESG220034-T1 Datasheet
97Kb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
NESG220034-T1-A NEC-NESG220034-T1-A Datasheet
97Kb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
More results


Аналогичное описание - NESG220034

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
California Eastern Labs		 NESG270034 CEL-NESG270034 Datasheet
349Kb / 11P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
logo
NEC		 NESG210833 NEC-NESG210833 Datasheet
103Kb / 8P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
NESG220033 NEC-NESG220033 Datasheet
95Kb / 8P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
NESG220034 NEC-NESG220034 Datasheet
97Kb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
NESG240033 NEC-NESG240033 Datasheet
103Kb / 8P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
NESG240034 NEC-NESG240034 Datasheet
91Kb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
logo
Renesas Technology Corp		 NESG210833 RENESAS-NESG210833 Datasheet
232Kb / 10P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
NESG220033 RENESAS-NESG220033 Datasheet
224Kb / 10P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
NESG240033 RENESAS-NESG240033 Datasheet
232Kb / 10P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
NESG240034 RENESAS-NESG240034 Datasheet
221Kb / 11P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
More results




О Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp-это японская полупроводниковая компания, которая предоставляет широкий спектр микроконтроллеров, системных и аналоговых и энергетических устройств для различных приложений на автомобильных, промышленных и потребительских рынках.
Компания была сформирована в 2010 году благодаря слиянию NEC Electronics Corporation и Renesas Technology Corporation.
Renesas является одним из крупнейших поставщиков микроконтроллеров в мире и известен своим опытом в разработке передовых технологий в таких областях, как Интернет вещей (IoT), искусственный интеллект (ИИ) и автомобильная электроника.
Компания работает в более чем 20 странах, и ее продукция используется в широком спектре приложений.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com