поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

PTF080101M датащи (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF080101M Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
номер детали PTF080101M
скачать  PTF080101M скачать
объем файла   258.49 Kbytes
Page   8 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz

PTF080101M Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
PTF080101M Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

номер детали PTF080101M
скачать  PTF080101M Click to download

объем файла   258.49 Kbytes
Page   8 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz

PTF080101M датащи (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF080101M Информация о продукте

Description
The PTF080101M is an unmatched 10-watt GOLDMOS® FETintended for class AB base station applications in the 450 MHz to 960 MHz band. This LDMOS device offers excellent gain, efficiency and linearity performance in a small footprint.

Features
• Typical EDGE performance
  - Average output power = 5.0 W
  - Gain = 19 dB
  - Efficiency = 37%
  - EVM = 2.0%
• Typical CW performance
  - Output Power at P–1dB = 12.5 W
  - Gain = 18 dB
  - Efficiency = 50%
• Integrated ESD protection: Human Body Model Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 10 W (CW) output power
• Pb-free and RoHS compliant




Аналогичный номер детали - PTF080101M

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTF080101 INFINEON-PTF080101 Datasheet
64Kb / 4P
LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
64Kb / 4P
LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
172Kb / 9P
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz
2004-10-05
More results


Аналогичное описание - PTF080101M

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTF080451 INFINEON-PTF080451 Datasheet
158Kb / 9P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz
2004-06-24
PTF080601 INFINEON-PTF080601 Datasheet
293Kb / 6P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz
2003-12-05
PTF080901 INFINEON-PTF080901 Datasheet
205Kb / 10P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
2004-04-05
logo
Tyco Electronics
MAPLST0810-030CF MACOM-MAPLST0810-030CF Datasheet
137Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
MAPLST0810-045CF MACOM-MAPLST0810-045CF Datasheet
136Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
MAPLST0810-090CF MACOM-MAPLST0810-090CF Datasheet
138Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
MAPLST0810-030CF-05-2004 MACOM-MAPLST0810-030CF-05-2004 Datasheet
137Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
MAPLST0810-045CF MACOM-MAPLST0810-045CF Datasheet
136Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
MAPLST0810-090CF-05-2004 MACOM-MAPLST0810-090CF-05-2004 Datasheet
138Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
logo
Infineon Technologies A...
PTF210101M INFINEON-PTF210101M Datasheet
276Kb / 8P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
More results




О Infineon Technologies AG


Infineon Technologies является ведущим глобальным производителем полупроводников, который специализируется на предоставлении решений управления энергетикой, безопасности и контроля для различных отраслей, таких как автомобильные, промышленные и коммуникационные системы.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Нойбиберге, Германия.
Infineon предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, полупроводники Power, датчики и другие интегрированные схемы.
Компания имеет сильное присутствие на мировом рынке, с операциями и объектами в разных странах мира.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com