поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

BUL642D2 датащи (PDF) - ON Semiconductor
BUL642D2 Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали BUL642D2
скачать  BUL642D2 скачать
объем файла   101.28 Kbytes
Page   8 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector?묮mitter and Built?뭝n Efficient Antisaturation Network

BUL642D2 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
BUL642D2 Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали BUL642D2
скачать  BUL642D2 Click to download

объем файла   101.28 Kbytes
Page   8 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector?묮mitter and Built?뭝n Efficient Antisaturation Network

BUL642D2 датащи (HTML) - ON Semiconductor


BUL642D2 Информация о продукте

The BUL642D2 is a state−of−the−art High Speed High Gain Bipolar Transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (150 ns on storage time) make it ideally suitable for Light Ballast Application. A new development process brings avalanche energy capability, making the device extremely rugged.

Features
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 300 mA/5 V
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread
• Integrated Collector−Emitter Free Wheeling Diode
• Fully Characterized Dynamic VCEsat
• “Six Sigma” Process Providing Tight and Reproducible Parameter Spreads
• Avalanche Energy 20 mJ Typical Capability
• Pb−Free Package is Available*




Аналогичный номер детали - BUL642D2

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Seme LAB		 BUL64A SEME-LAB-BUL64A Datasheet
19Kb / 2P		 ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
logo
Inchange Semiconductor ...		 BUL64A ISC-BUL64A Datasheet
272Kb / 2P		 Silicon NPN Power Transistor
logo
Seme LAB		 BUL64B SEME-LAB-BUL64B Datasheet
19Kb / 2P		 ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
logo
Inchange Semiconductor ...		 BUL64B ISC-BUL64B Datasheet
273Kb / 2P		 Silicon NPN Power Transistor
More results


Аналогичное описание - BUL642D2

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Siemens Semiconductor G...		 BC368 SIEMENS-BC368 Datasheet
125Kb / 4P		 NPN Silicon AF Transistor (High current gain High collector current)
BC517 SIEMENS-BC517 Datasheet
138Kb / 4P		 NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current)
logo
Agilent(Hewlett-Packard...		 HBFP0420 HP-HBFP0420 Datasheet
85Kb / 10P		 High Performance Isolated Collector Silicon Bipolar Transistor
logo
ON Semiconductor		 BUD42D ONSEMI-BUD42D Datasheet
193Kb / 14P		 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
August, 2003 ??Rev. 2
logo
List of Unclassifed Man...		 HBFP0405 ETC-HBFP0405 Datasheet
85Kb / 10P		 High Performance Isolated Collector Silicon Bipolar Transistor
logo
Diodes Incorporated		 ZXTN26020DMF DIODES-ZXTN26020DMF Datasheet
141Kb / 6P		 HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR
DS31953 Rev. 2 - 1
logo
ON Semiconductor		 BUD42D ONSEMI-BUD42D_11 Datasheet
184Kb / 12P		 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor
January, 2011 ??Rev. 5
BUL45D2G ONSEMI-BUL45D2G Datasheet
248Kb / 11P		 High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor
April, 2010 ??Rev. 5
logo
Diodes Incorporated		 ZXTN26020DMF DIODES-ZXTN26020DMF_15 Datasheet
141Kb / 6P		 HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR
Rev 2
logo
ON Semiconductor		 BUL45D2 ONSEMI-BUL45D2_14 Datasheet
227Kb / 11P		 High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor
November, 2014 ??Rev. 8
More results




О ON Semiconductor

«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com