поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

SCTHS250N120G3AG датащи (PDF) - STMicroelectronics
SCTHS250N120G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
номер детали SCTHS250N120G3AG
скачать  SCTHS250N120G3AG скачать
объем файла   323.6 Kbytes
Page   11 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mΩ typ., 239 A in a STPAK package

SCTHS250N120G3AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
SCTHS250N120G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

номер детали SCTHS250N120G3AG
скачать  SCTHS250N120G3AG Click to download

объем файла   323.6 Kbytes
Page   11 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mΩ typ., 239 A in a STPAK package

SCTHS250N120G3AG датащи (HTML) - STMicroelectronics


SCTHS250N120G3AG Информация о продукте

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Source sensing pin for increased efficiency

Application
• Main inverter (electric traction)

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low
capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




Аналогичный номер детали - SCTHS250N120G3AG

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
STMicroelectronics		 SCTHS250N65G3 STMICROELECTRONICS-SCTHS250N65G3 Datasheet
301Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package
05-Oct-2022
SCTHS250N65G3AG STMICROELECTRONICS-SCTHS250N65G3AG Datasheet
301Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package
05-Oct-2022
SCTHS250N65G3TAG STMICROELECTRONICS-SCTHS250N65G3TAG Datasheet
301Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package
05-Oct-2022
More results


Аналогичное описание - SCTHS250N120G3AG

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
STMicroelectronics		 SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCTWA70N120G2V STMICROELECTRONICS-SCTWA70N120G2V Datasheet
229Kb / 12P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A
10-Oct-2022
SCT020H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT020H120G3AG Datasheet
362Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT040H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3AG Datasheet
386Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
14-Oct-2022
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
396Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
04-Apr-2023
SCTH60N120G2-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH60N120G2-7AG Datasheet
356Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
02-Aug-2021
SCTHS250N65G3 STMICROELECTRONICS-SCTHS250N65G3 Datasheet
301Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package
05-Oct-2022
More results




О STMicroelectronics

STMicroElectronics - это многонациональный производитель электроники и полупроводников, базирующийся в Женеве, Швейцария.

Компания предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, датчики, усилители мощности и интегрированные схемы для различных применений на автомобильных, промышленных и потребительских рынках.

Основанная в 1987 году, Stmicroelectronics работает в более чем 100 странах и является одной из крупнейших полупроводниковых компаний в мире.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com