поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

NRVTS30100MFS датащи (PDF) - ON Semiconductor

NRVTS30100MFS Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали NRVTS30100MFS
скачать  NRVTS30100MFS скачать
объем файла   205.73 Kbytes
Page   6 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали Schottky Barrier Rectifier Trench-based, High Performance

NRVTS30100MFS Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
NRVTS30100MFS Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали NRVTS30100MFS
скачать  NRVTS30100MFS Click to download

объем файла   205.73 Kbytes
Page   6 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали Schottky Barrier Rectifier Trench-based, High Performance

NRVTS30100MFS датащи (HTML) - ON Semiconductor


NRVTS30100MFS Информация о продукте

This Trench Schottky rectifier is high performance device in SO−8
FL package. The lower forward voltage, less leakage current, and
small junction capacitance are suitable to high switching frequency
high density DC to DC conversion application. Offering higher
avalanche energy capability for Oring or reverse protection
application. The SO−8 FL package provides an excellent thermal
performance, less land area of board space, and low profile.
Features
• Lower Forward Voltage Drop
• Less Leakage Current in High Temperature
• Small Junction Capacitance for High Switching Frequency
• Higher Avalanche Energy Capability
• 175°C Operating Junction Temperature
• Good Alternative Solution of SMC and DPAK Package
• Small Footprint − Land Area: 31.2 mm2
• Low Profile − Maximum Height of 1.1 mm
• NRVTS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Mechanical Characteristics:
• Case: Molded Epoxy
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• Weight: 95 mg (Approximately)
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:
260°C Maximum for 10 Seconds
• MSL 1
Applications
• High Switching Frequency DC/DC Converter
• 2nd Rectifier
• Freewheeling Diode used with Inductive Load
• Oring / Reverse Protection




Аналогичный номер детали - NRVTS30100MFS

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor
NRVTS30120MFS ONSEMI-NRVTS30120MFS Datasheet
146Kb / 5P
Schottky Barrier Rectifier Trench-based, High Performance
April, 2021 - Rev. 0
NRVTS30120MFST3G ONSEMI-NRVTS30120MFST3G Datasheet
146Kb / 5P
Schottky Barrier Rectifier Trench-based, High Performance
April, 2021 - Rev. 0
More results


Аналогичное описание - NRVTS30100MFS

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor
NTSAF345 ONSEMI-NTSAF345 Datasheet
62Kb / 5P
Trench-based Schottky Rectifier
December, 2014 ??Rev. 0
NTSAF545 ONSEMI-NTSAF545 Datasheet
61Kb / 5P
Trench-based Schottky Rectifier
January, 2015 ??Rev. 1
NRTSAF360 ONSEMI-NRTSAF360 Datasheet
59Kb / 5P
Trench-based Schottky Rectifier
November, 2016 ??Rev. 1
NTSAF345 ONSEMI-NTSAF345_16 Datasheet
60Kb / 5P
Trench-based Schottky Rectifier
November, 2016 ??Rev. 2
NTSAF545 ONSEMI-NTSAF545_16 Datasheet
55Kb / 5P
Trench-based Schottky Rectifier
November, 2016 ??Rev. 2
NRTS10100PFS ONSEMI-NRTS10100PFS Datasheet
214Kb / 6P
Schottky Barrier Rectifier, Trench-based
February, 2020 ??Rev. 0
NRTS15100PFS ONSEMI-NRTS15100PFS Datasheet
201Kb / 7P
Schottky Barrier Rectifier, Trench-based
January, 2020 ??Rev. 0
NRTS8100PFS ONSEMI-NRTS8100PFS Datasheet
214Kb / 6P
Schottky Barrier Rectifier, Trench-based
August, 2020 ??Rev. 1
NRTS1260PFS ONSEMI-NRTS1260PFS Datasheet
214Kb / 6P
Schottky Barrier Rectifier, Trench-based
February, 2020 - Rev. 0
NRVTS30120MFS ONSEMI-NRVTS30120MFS Datasheet
146Kb / 5P
Schottky Barrier Rectifier Trench-based, High Performance
April, 2021 - Rev. 0
More results




О ON Semiconductor


«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com