поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

NTHL080N120SC1 датащи (PDF) - ON Semiconductor
NTHL080N120SC1 Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали NTHL080N120SC1
скачать  NTHL080N120SC1 скачать
объем файла   365.42 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

NTHL080N120SC1 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
NTHL080N120SC1 Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали NTHL080N120SC1
скачать  NTHL080N120SC1 Click to download

объем файла   365.42 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

NTHL080N120SC1 датащи (HTML) - ON Semiconductor


NTHL080N120SC1 Информация о продукте

Features
• Typ. RDS(on) = 80 m
• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 56 nC)
• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 80 pF)
• 100% UIL Tested
• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,
Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications
• UPS
• DC−DC Converter
• Boost Inverter




Аналогичный номер детали - NTHL080N120SC1

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor		 NTHL080N120SC1 ONSEMI-NTHL080N120SC1 Datasheet
374Kb / 7P		 MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 80 m, 31 A
April, 2020 ??Rev. 4
NTHL080N120SC1A ONSEMI-NTHL080N120SC1A Datasheet
288Kb / 7P		 MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 80 m, 31 A
April, 2020 ??Rev. 1
NTHL080N120SC1A ONSEMI-NTHL080N120SC1A Datasheet
363Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 3
NTHL080N120SC1A ONSEMI-NTHL080N120SC1A_V01 Datasheet
363Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 3
NTHL080N120SC1D ONSEMI-NTHL080N120SC1D Datasheet
374Kb / 7P		 MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 80 m, 31 A
April, 2020 ??Rev. 4
More results


Аналогичное описание - NTHL080N120SC1

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor		 NTHL020N120SC1 ONSEMI-NTHL020N120SC1_V01 Datasheet
303Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 2
NVHL020N120SC1 ONSEMI-NVHL020N120SC1_V01 Datasheet
304Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 1
NVHL080N120SC1 ONSEMI-NVHL080N120SC1_V01 Datasheet
363Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 4
NTHL040N120SC1 ONSEMI-NTHL040N120SC1_V01 Datasheet
312Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 3
NTHL080N120SC1A ONSEMI-NTHL080N120SC1A_V01 Datasheet
363Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 3
NTHL160N120SC1 ONSEMI-NTHL160N120SC1_V01 Datasheet
306Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 3
NTHL040N120SC1 ONSEMI-NTHL040N120SC1_V02 Datasheet
313Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
January, 2023 - Rev. 4
NTHL160N120SC1 ONSEMI-NTHL160N120SC1_V02 Datasheet
308Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
January, 2023 - Rev. 4
NVHL040N120SC1 ONSEMI-NVHL040N120SC1_V01 Datasheet
314Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 2
NTHL020N120SC1 ONSEMI-NTHL020N120SC1_V02 Datasheet
304Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
January, 2023 - Rev. 3
More results




О ON Semiconductor

«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com