поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

NVMFWS1D3N04XM датащи (PDF) - ON Semiconductor
NVMFWS1D3N04XM Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали NVMFWS1D3N04XM
скачать  NVMFWS1D3N04XM скачать
объем файла   148.22 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.3 m, 195 A

NVMFWS1D3N04XM Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
NVMFWS1D3N04XM Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали NVMFWS1D3N04XM
скачать  NVMFWS1D3N04XM Click to download

объем файла   148.22 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.3 m, 195 A

NVMFWS1D3N04XM датащи (HTML) - ON Semiconductor


NVMFWS1D3N04XM Информация о продукте

Features
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Small Footprint (5 x 6 mm) with Compact Design
• AECQ101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications
• Motor Drive
• Battery Protection
• Synchronous Rectification




Аналогичный номер детали - NVMFWS1D3N04XM

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor		 NVMFWS1D1N04XM ONSEMI-NVMFWS1D1N04XM Datasheet
149Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A
April, 2023 - Rev. 3
NVMFWS1D1N04XMT1G ONSEMI-NVMFWS1D1N04XMT1G Datasheet
149Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A
April, 2023 - Rev. 3
NVMFWS1D5N08X ONSEMI-NVMFWS1D5N08X Datasheet
164Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 1.43 m, 253 A
April, 2023 - Rev. 0
NVMFWS1D5N08XT1G ONSEMI-NVMFWS1D5N08XT1G Datasheet
164Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 1.43 m, 253 A
April, 2023 - Rev. 0
NVMFWS1D9N08 ONSEMI-NVMFWS1D9N08 Datasheet
168Kb / 7P		 MOSFET – Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 1.9 m, 201 A
October, 2023 - Rev. 1
More results


Аналогичное описание - NVMFWS1D3N04XM

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor		 NVMFWS2D9N04XM ONSEMI-NVMFWS2D9N04XM Datasheet
149Kb / 7P		 MOSFET – Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 3.1 m, 94 A
April, 2023 - Rev. 2
NVMFWS1D1N04XM ONSEMI-NVMFWS1D1N04XM Datasheet
149Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A
April, 2023 - Rev. 3
NVMFWS2D3N04XM ONSEMI-NVMFWS2D3N04XM Datasheet
146Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 2.35 m, 121 A
April, 2023 - Rev. 1
NVMFWS1D5N08X ONSEMI-NVMFWS1D5N08X Datasheet
164Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 1.43 m, 253 A
April, 2023 - Rev. 0
NTMFS1D1N04XM ONSEMI-NTMFS1D1N04XM Datasheet
131Kb / 6P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A
June, 2023 - Rev. 0
NTMFS1D3N04XM ONSEMI-NTMFS1D3N04XM Datasheet
131Kb / 6P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.3 m, 195 A
June, 2023 - Rev. 0
NTMFS2D5N08X ONSEMI-NTMFS2D5N08X Datasheet
146Kb / 6P		 MOSFET – Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 2.1 m, 181 A
October, 2023 - Rev. 0
NVMFWS004N04XM ONSEMI-NVMFWS004N04XM Datasheet
143Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 4.7 m, 66 A
November, 2023 - Rev. 1
NTMFS3D0N08X ONSEMI-NTMFS3D0N08X Datasheet
149Kb / 6P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 2.6 m, 154 A
November, 2023 - Rev. 0
NTMFS4D0N08X ONSEMI-NTMFS4D0N08X Datasheet
231Kb / 8P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 3.5 m, 119 A
December, 2023 - Rev. 0
More results




О ON Semiconductor

«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com