поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

NVMFWS0D4N04XM датащи (PDF) - ON Semiconductor

NVMFWS0D4N04XM Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали NVMFWS0D4N04XM
скачать  NVMFWS0D4N04XM скачать
объем файла   225.01 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.42 m, 512 A

NVMFWS0D4N04XM Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
NVMFWS0D4N04XM Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали NVMFWS0D4N04XM
скачать  NVMFWS0D4N04XM Click to download

объем файла   225.01 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.42 m, 512 A

NVMFWS0D4N04XM датащи (HTML) - ON Semiconductor


NVMFWS0D4N04XM Информация о продукте

Features
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Small Footprint (5x6 mm) with Compact Design
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications
• Motor Drive
• Battery Protection
• Synchronous Rectification




Аналогичный номер детали - NVMFWS0D4N04XM

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor
NVMFWS0D5N04XM ONSEMI-NVMFWS0D5N04XM Datasheet
223Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.52 m, 423 A
December, 2021?뭃ev. 0
NVMFWS0D5N04XMT1G ONSEMI-NVMFWS0D5N04XMT1G Datasheet
223Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.52 m, 423 A
December, 2021?뭃ev. 0
NVMFWS0D6N04XM ONSEMI-NVMFWS0D6N04XM Datasheet
153Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.57 m, 380 A
April, 2023 - Rev. 0
NVMFWS0D6N04XMT1G ONSEMI-NVMFWS0D6N04XMT1G Datasheet
153Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.57 m, 380 A
April, 2023 - Rev. 0
NVMFWS0D7N04XM ONSEMI-NVMFWS0D7N04XM Datasheet
278Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.70 m, 331 A
December, 2021-Rev. 0
More results


Аналогичное описание - NVMFWS0D4N04XM

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor
NTMFS0D8N02P1E ONSEMI-NTMFS0D8N02P1E Datasheet
147Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 25 V, 0.68 m, 365 A
March, 2020 ??Rev. 0
NTMFS0D55N03CG ONSEMI-NTMFS0D55N03CG Datasheet
139Kb / 6P
MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 0.58 m, 462 A
June, 2020 ??Rev. 1
NTMFS0D7N03CG ONSEMI-NTMFS0D7N03CG Datasheet
218Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 0.65 m, 409 A
June, 2021 ??Rev. 6
NTMFS0D9N03CG ONSEMI-NTMFS0D9N03CG Datasheet
166Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 0.9 m, 298 A
November, 2021 ??Rev. 5
NTMFS1D15N03CG ONSEMI-NTMFS1D15N03CG Datasheet
185Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 1.15 m, 245 A
April, 2021 ??Rev. 6
NVMFWS0D5N04XM ONSEMI-NVMFWS0D5N04XM Datasheet
223Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.52 m, 423 A
December, 2021?뭃ev. 0
NVMFWS0D7N04XM ONSEMI-NVMFWS0D7N04XM Datasheet
278Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.70 m, 331 A
December, 2021-Rev. 0
NVMTS0D6N04CL ONSEMI-NVMTS0D6N04CL Datasheet
407Kb / 7P
MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 0.42 m, 554.5 A
July, 2019 ??Rev. 1
NVMFWS0D6N04XM ONSEMI-NVMFWS0D6N04XM Datasheet
153Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.57 m, 380 A
April, 2023 - Rev. 0
NTMFS0D7N04XM ONSEMI-NTMFS0D7N04XM Datasheet
140Kb / 7P
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8-FL 40 V, 0.7 m, 323 A
June, 2023 - Rev. 0
More results




О ON Semiconductor


«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com