поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

NVLJS053N12MCL датащи (PDF) - ON Semiconductor
NVLJS053N12MCL Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали NVLJS053N12MCL
скачать  NVLJS053N12MCL скачать
объем файла   260.37 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали MOSFET - Power, Single N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench 120 V, 53 m, 4.8 A

NVLJS053N12MCL Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
NVLJS053N12MCL Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали NVLJS053N12MCL
скачать  NVLJS053N12MCL Click to download

объем файла   260.37 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали MOSFET - Power, Single N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench 120 V, 53 m, 4.8 A

NVLJS053N12MCL датащи (HTML) - ON Semiconductor


NVLJS053N12MCL Информация о продукте

Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
• 50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers
• Lowers Switching Noise/EMI
• Low Profile − 0.5 mm Maximum in MicroFET 2x2 mm
• 100% UIL Tested
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Typical Applications
• Primary DC−DC MOSFET
• Synchronous Rectifier in DC−DC and AC−DC
• Motor Drive




Аналогичный номер детали - NVLJS053N12MCL

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor		 NVLJD4007NZ ONSEMI-NVLJD4007NZ Datasheet
132Kb / 6P		 30 V, 245 mA, Dual, N?묬hannel, Gate ESD Protection, 2x2 WDFN Package
May, 2013 ??Rev. 0
NVLJD4007NZTAG ONSEMI-NVLJD4007NZTAG Datasheet
132Kb / 6P		 30 V, 245 mA, Dual, N?묬hannel, Gate ESD Protection, 2x2 WDFN Package
May, 2013 ??Rev. 0
NVLJD4007NZTBG ONSEMI-NVLJD4007NZTBG Datasheet
132Kb / 6P		 30 V, 245 mA, Dual, N?묬hannel, Gate ESD Protection, 2x2 WDFN Package
May, 2013 ??Rev. 0
NVLJWD023N04CL ONSEMI-NVLJWD023N04CL Datasheet
140Kb / 7P		 MOSFET – Power, Dual N-Channel 40 V, 23 m, 25 A
June, 2022 - Rev. 0
NVLJWD023N04CLTAG ONSEMI-NVLJWD023N04CLTAG Datasheet
140Kb / 7P		 MOSFET – Power, Dual N-Channel 40 V, 23 m, 25 A
June, 2022 - Rev. 0
More results


Аналогичное описание - NVLJS053N12MCL

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Fairchild Semiconductor		 FDMC86570L FAIRCHILD-FDMC86570L Datasheet
352Kb / 7P		 N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 56 A, 4.3 m
logo
ON Semiconductor		 NTMFS034N15MC ONSEMI-NTMFS034N15MC Datasheet
223Kb / 8P		 MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 31 m, 31 A
May, 2020 ??Rev. 0
NTP5D0N15MC ONSEMI-NTP5D0N15MC Datasheet
151Kb / 6P		 MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 m, 139 A
April, 2020 ??Rev. 1
NTP7D3N15MC ONSEMI-NTP7D3N15MC Datasheet
147Kb / 6P		 MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 m, 101 A
May, 2020 ??Rev. 0
NTP011N15MC ONSEMI-NTP011N15MC Datasheet
145Kb / 6P		 MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 m, 74.3 A
May, 2020 ??Rev. 1
NTTFS022N15MC ONSEMI-NTTFS022N15MC Datasheet
270Kb / 6P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench
October, 2020 ??Rev. 0
FDMS86181 ONSEMI-FDMS86181 Datasheet
482Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, Shielded Gate, POWERTRENCH
December, 2020 ??Rev. 3
FDP2D9N12C ONSEMI-FDP2D9N12C Datasheet
306Kb / 7P		 MOSFET - N-Channel, Shielded Gate PowerTrench 120 V, 2.95 m, 181 A
October, 2019 ??Rev. 1
NTTFS034N15MC ONSEMI-NTTFS034N15MC Datasheet
329Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench 150 V, 31 m, 27 A
October, 2020-Rev. 0
STLJS050N12MCLL ONSEMI-STLJS050N12MCLL Datasheet
201Kb / 7P		 MOSFET - Power, Single N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench 120 V, 50.6 m, 4.5 A
August, 2021 - Rev. 0
More results




О ON Semiconductor

«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com