поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

MGP7N60ED датащи (PDF) - ON Semiconductor

MGP7N60ED Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали MGP7N60ED
скачать  MGP7N60ED скачать
объем файла   144.18 Kbytes
Page   6 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode

MGP7N60ED Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
MGP7N60ED Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали MGP7N60ED
скачать  MGP7N60ED Click to download

объем файла   144.18 Kbytes
Page   6 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode

MGP7N60ED датащи (HTML) - ON Semiconductor


MGP7N60ED Информация о продукте

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged
with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both a high temperature short circuit capability and a low VCE(on). It also provides fast switching characteristics and results in efficient operation at high frequencies. Co–packaged IGBTs save space, reduce assembly time and cost. This new E–series introduces an energy efficient, ESD protected, and short circuit rugged device.

• Industry Standard TO–220 Package
• High Speed: Eoff = 70 μJ/A typical at 125°C
• High Voltage Short Circuit Capability – 10 s minimum at 125°C, 400 V
• Low On–Voltage 2.0 V typical at 5.0 A, 125°C
• Soft Recovery Free Wheeling Diode is Included in the Package
• Robust High Voltage Termination
• ESD Protection Gate–Emitter Zener Diodes




Аналогичный номер детали - MGP7N60ED

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Motorola, Inc
MGP7N60E MOTOROLA-MGP7N60E Datasheet
122Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor
logo
ON Semiconductor
MGP7N60E ONSEMI-MGP7N60E Datasheet
118Kb / 5P
Insulated Gate Bipolar Transistor
More results


Аналогичное описание - MGP7N60ED

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Motorola, Inc
MGV12N120D MOTOROLA-MGV12N120D Datasheet
79Kb / 4P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGW12N120D MOTOROLA-MGW12N120D Datasheet
250Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGW20N60D MOTOROLA-MGW20N60D Datasheet
246Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGY20N120D MOTOROLA-MGY20N120D Datasheet
254Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGY25N120D MOTOROLA-MGY25N120D Datasheet
256Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGY40N60D MOTOROLA-MGY40N60D Datasheet
247Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
logo
ON Semiconductor
MGP4N60ED ONSEMI-MGP4N60ED Datasheet
146Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
1998 REV 1
MGW12N120D ONSEMI-MGW12N120D Datasheet
168Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
1998 REV 2
MGY20N120D ONSEMI-MGY20N120D Datasheet
171Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
REV 1
MGY25N120D ONSEMI-MGY25N120D Datasheet
171Kb / 6P
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
REV 2
More results




О ON Semiconductor


«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com