поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

NIMD6302R2 датащи (PDF) - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали NIMD6302R2
скачать  NIMD6302R2 скачать
объем файла   97.01 Kbytes
Page   12 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET

NIMD6302R2 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
NIMD6302R2 Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали NIMD6302R2
скачать  NIMD6302R2 Click to download

объем файла   97.01 Kbytes
Page   12 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET

NIMD6302R2 датащи (HTML) - ON Semiconductor


NIMD6302R2 Информация о продукте

HDPlus devices are an advanced HDTMOS™ series of power MOSFET which utilize ON’s latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on–resistance per silicon area while incorporating smart features. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes. The avalanche energy is specified to eliminate guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
This HDPlus device features an integrated Gate–to–Source clamp for ESD protection. Also, this device features a mirror FET for current monitoring.

• ±3.5% Current Mirror Accuracy in Linear Region
• ±15% Current Mirror Accuracy in Low Current Saturation Region
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• Avalanche Energy Specified
• Current Sense FET
• ESD Protected on the Main and the Mirror FET




Аналогичный номер детали - NIMD6302R2

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor
NIMD6302R2 ONSEMI-NIMD6302R2 Datasheet
90Kb / 9P
HDPlus Dual N?묬hannel Self?뭦rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET
March, 2006 ??Rev. 4
NIMD6302R2 ONSEMI-NIMD6302R2_06 Datasheet
90Kb / 9P
HDPlus Dual N?묬hannel Self?뭦rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET
March, 2006 ??Rev. 4
More results


Аналогичное описание - NIMD6302R2

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor
NIF5002N ONSEMI-NIF5002N Datasheet
58Kb / 6P
Self-Protected FET with Temperature and Current Limit
January, 2004 ??Rev. 5
NIF62514 ONSEMI-NIF62514 Datasheet
57Kb / 6P
Self-protected FET with Temperature and Current Limit
April, 2003 - Rev. 3
NID5001N ONSEMI-NID5001N Datasheet
53Kb / 6P
Self-protected FET with Temperature and Current Limit
January, 2004 ??Rev. 6
NILMS4501N ONSEMI-NILMS4501N Datasheet
90Kb / 9P
Power MOSFET with Current Mirror FET
May, 2006 ??Rev. 4
NIMD6302R2 ONSEMI-NIMD6302R2_06 Datasheet
90Kb / 9P
HDPlus Dual N?묬hannel Self?뭦rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET
March, 2006 ??Rev. 4
NCV8402D ONSEMI-NCV8402D Datasheet
152Kb / 10P
Dual Self-Protected Low-Side Driver with Temperature and Current Limit
Octtober, 2009 ??Rev. 0
NID5003NT4G ONSEMI-NID5003NT4G Datasheet
112Kb / 5P
Self-Protected FET with Temperature and Current Limit
September, 2008??Rev. 6
NCV8402AD ONSEMI-NCV8402AD Datasheet
124Kb / 10P
Dual Self-Protected Low-Side Driver with Temperature and Current Limit
November, 2011 ??Rev. 1
NIC5004TS1 ONSEMI-NIC5004TS1 Datasheet
110Kb / 3P
Self-Protected FET
August, 2012 ??Rev. 1
logo
Pan Jit International I...
PJA3416AE-AU PANJIT-PJA3416AE-AU Datasheet
2Mb / 6P
20V N-Channe lEnhancement Mode MOSFET – ESD Protected
May 5,2021 PJA3416AE-AU-REV.00
More results




О ON Semiconductor


«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com