поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

PTF210901 датащи (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF210901 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
номер детали PTF210901
скачать  PTF210901 скачать

объем файла   266.34 Kbytes
Page   8 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz

PTF210901 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
PTF210901 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

номер детали PTF210901
скачать  PTF210901 Click to download

объем файла   266.34 Kbytes
Page   8 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz

PTF210901 датащи (HTML) - Infineon Technologies AG

PTF210901 Datasheet HTML 1Page - Infineon Technologies AG PTF210901 Datasheet HTML 2Page - Infineon Technologies AG PTF210901 Datasheet HTML 3Page - Infineon Technologies AG PTF210901 Datasheet HTML 4Page - Infineon Technologies AG PTF210901 Datasheet HTML 5Page - Infineon Technologies AG PTF210901 Datasheet HTML 6Page - Infineon Technologies AG PTF210901 Datasheet HTML 7Page - Infineon Technologies AG PTF210901 Datasheet HTML 8Page - Infineon Technologies AG

PTF210901 Информация о продукте

Description
The PTF210901 is an internally matched 90 W GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Internal matching for wideband performance
• Typical two–carrier 3GPP WCDMA
   performance
   - Average output power = 19 W at –37 dBc
   - Efficiency = 25%
• Typical CW performance
   - Output power at P–1dB = 105 W
   - Gain = 15 dB
   - Efficiency = 53%
• Integrated ESD protection: Human Body Model,
   Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability, low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR at 28 V,
   90 W (CW) output power




Аналогичный номер детали - PTF210901

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTF210101M INFINEON-PTF210101M Datasheet
276Kb / 8P
   High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
logo
Tyco Electronics
PTF21024 MACOM-PTF21024 Datasheet
199Kb / 3P
   Miniature Power Relay
PTF21024 MACOM-PTF21024 Datasheet
261Kb / 3P
   Miniature Power Relay PTF
logo
Infineon Technologies A...
PTF210301 INFINEON-PTF210301 Datasheet
337Kb / 8P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF210301A INFINEON-PTF210301A Datasheet
337Kb / 8P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
More results


Аналогичное описание - PTF210901

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTF211301 INFINEON-PTF211301 Datasheet
449Kb / 9P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
2004-01-02
PTF210301 INFINEON-PTF210301 Datasheet
337Kb / 8P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF211802 INFINEON-PTF211802 Datasheet
169Kb / 8P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
PTF210451 INFINEON-PTF210451 Datasheet
406Kb / 8P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTFB213004F INFINEON-PTFB213004F_16 Datasheet
740Kb / 16P
   High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05.3, 2016-06-15
PTF210101M INFINEON-PTF210101M Datasheet
276Kb / 8P
   High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
logo
Cree, Inc
PTFB213004F CREE-PTFB213004F Datasheet
528Kb / 16P
   High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
logo
Infineon Technologies A...
PTFB213004F INFINEON-PTFB213004F Datasheet
674Kb / 16P
   High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110-2170 MHz
Rev. 05.2, 2010-12-09
logo
Tyco Electronics
MAPLST2122-030CF MACOM-MAPLST2122-030CF Datasheet
162Kb / 5P
   RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 30W, 28V
MAPLST2122-060CF MACOM-MAPLST2122-060CF Datasheet
172Kb / 5P
   RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 60W, 28V
More results




О Infineon Technologies AG


Infineon Technologies является ведущим глобальным производителем полупроводников, который специализируется на предоставлении решений управления энергетикой, безопасности и контроля для различных отраслей, таких как автомобильные, промышленные и коммуникационные системы.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Нойбиберге, Германия.
Infineon предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, полупроводники Power, датчики и другие интегрированные схемы.
Компания имеет сильное присутствие на мировом рынке, с операциями и объектами в разных странах мира.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com