поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

PTF080601 датащи (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF080601 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
номер детали PTF080601
скачать  PTF080601 скачать

объем файла   293.73 Kbytes
Page   6 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

PTF080601 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
PTF080601 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

номер детали PTF080601
скачать  PTF080601 Click to download

объем файла   293.73 Kbytes
Page   6 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

PTF080601 датащи (HTML) - Infineon Technologies AG

PTF080601 Datasheet HTML 1Page - Infineon Technologies AG PTF080601 Datasheet HTML 2Page - Infineon Technologies AG PTF080601 Datasheet HTML 3Page - Infineon Technologies AG PTF080601 Datasheet HTML 4Page - Infineon Technologies AG PTF080601 Datasheet HTML 5Page - Infineon Technologies AG PTF080601 Datasheet HTML 6Page - Infineon Technologies AG

PTF080601 Информация о продукте

Description
The PTF080601 is a 60–W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical EDGE performance
- Average output power = 30W
- Gain = 18 dB
- Efficiency = 40%
• Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 90W
- Gain = 17dB
- Efficiency = 60%
• Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28V, 60 W (CW) output power




Аналогичный номер детали - PTF080601

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTF080101 INFINEON-PTF080101 Datasheet
64Kb / 4P
   LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
PTF080101M INFINEON-PTF080101M Datasheet
258Kb / 8P
   High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
64Kb / 4P
   LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
172Kb / 9P
   Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz
2004-10-05
PTF080451 INFINEON-PTF080451 Datasheet
158Kb / 9P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz
2004-06-24
More results


Аналогичное описание - PTF080601

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTF080451 INFINEON-PTF080451 Datasheet
158Kb / 9P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz
2004-06-24
PTF080901 INFINEON-PTF080901 Datasheet
205Kb / 10P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
2004-04-05
logo
Ericsson
PTF10138 ERICSSON-PTF10138 Datasheet
106Kb / 6P
   60 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10139 ERICSSON-PTF10139 Datasheet
115Kb / 6P
   60 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
logo
Infineon Technologies A...
PTF080101M INFINEON-PTF080101M Datasheet
258Kb / 8P
   High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
logo
Tyco Electronics
MAPLST0810-045CF MACOM-MAPLST0810-045CF Datasheet
136Kb / 4P
   RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
MAPLST0810-090CF MACOM-MAPLST0810-090CF Datasheet
138Kb / 4P
   RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
MAPLST0810-090CF-05-2004 MACOM-MAPLST0810-090CF-05-2004 Datasheet
138Kb / 4P
   RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
MAPLST0810-030CF-05-2004 MACOM-MAPLST0810-030CF-05-2004 Datasheet
137Kb / 4P
   RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
MAPLST0810-030CF MACOM-MAPLST0810-030CF Datasheet
137Kb / 4P
   RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
More results




О Infineon Technologies AG


Infineon Technologies является ведущим глобальным производителем полупроводников, который специализируется на предоставлении решений управления энергетикой, безопасности и контроля для различных отраслей, таких как автомобильные, промышленные и коммуникационные системы.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Нойбиберге, Германия.
Infineon предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, полупроводники Power, датчики и другие интегрированные схемы.
Компания имеет сильное присутствие на мировом рынке, с операциями и объектами в разных странах мира.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com