поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

IRF221 датащи (PDF) - Intersil Corporation

IRF221 Datasheet PDF - Intersil Corporation
номер детали IRF221
скачать  IRF221 скачать

объем файла   68.86 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  INTERSIL [Intersil Corporation]
домашняя страница  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
подробное описание детали 4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF221 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
IRF221 Datasheet PDF - Intersil Corporation

номер детали IRF221
скачать  IRF221 Click to download

объем файла   68.86 Kbytes
Page   7 Pages
производитель  INTERSIL [Intersil Corporation]
домашняя страница  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
подробное описание детали 4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF221 датащи (HTML) - Intersil Corporation

IRF221 Datasheet HTML 1Page - Intersil Corporation IRF221 Datasheet HTML 2Page - Intersil Corporation IRF221 Datasheet HTML 3Page - Intersil Corporation IRF221 Datasheet HTML 4Page - Intersil Corporation IRF221 Datasheet HTML 5Page - Intersil Corporation IRF221 Datasheet HTML 6Page - Intersil Corporation IRF221 Datasheet HTML 7Page - Intersil Corporation

IRF221 Информация о продукте

Description
These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features
• 4.0A and 5.0A, 150V and 200V
• rDS(ON) = 0.8Ω and 1.2Ω
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Majority Carrier Device
• Related Literature
    - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”




Аналогичный номер детали - IRF221

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Samsung semiconductor
IRF221 SAMSUNG-IRF221 Datasheet
209Kb / 5P
   N-CHANNEL POWER MOSFETS
logo
Fairchild Semiconductor
IRF221 FAIRCHILD-IRF221 Datasheet
165Kb / 5P
   N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF221 NJSEMI-IRF221 Datasheet
135Kb / 3P
   Nanosecond Switching Speeds
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF221 ISC-IRF221 Datasheet
48Kb / 2P
   High Speed Applications
logo
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...
IRF221 ARTSCHIP-IRF221 Datasheet
154Kb / 5P
   N-Channel Power Mosfets
More results


Аналогичное описание - IRF221

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Intersil Corporation
IRF9230 INTERSIL-IRF9230 Datasheet
72Kb / 7P
   -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF230 INTERSIL-IRF230 Datasheet
69Kb / 7P
   8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Harris Corporation
IRFD210 HARRIS-IRFD210 Datasheet
360Kb / 6P
   0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS
logo
Intersil Corporation
IRFAC40 INTERSIL-IRFAC40 Datasheet
67Kb / 7P
   6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Harris Corporation
IRFBC40 HARRIS-IRFBC40 Datasheet
66Kb / 7P
   6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Intersil Corporation
RFL1N12 INTERSIL-RFL1N12 Datasheet
43Kb / 5P
   1A, 120V and 150V, 1.9 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP2N12 INTERSIL-RFP2N12 Datasheet
35Kb / 5P
   2A, 120V and 150V, 1.750 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFL4N12 INTERSIL-RFL4N12 Datasheet
31Kb / 4P
   4A, 120V and 150V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFL1N18 INTERSIL-RFL1N18 Datasheet
43Kb / 5P
   1A, 180V and 200V, 3.65 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFK25N18 INTERSIL-RFK25N18 Datasheet
42Kb / 5P
   25A, 180V and 200V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
More results




О Intersil Corporation


Mretsil Corporation была американской полупроводниковой компанией, которая специализировалась на разработке и производстве высокопроизводительных аналоговых и смешанных интегрированных цепей.
Компания была основана в 1967 году и была известна своей опытом в области управления энергетикой, конверсии данных и радиочастотных (RF).
Продукты Intersil использовались в широком спектре применений, таких как потребительская электроника, промышленность, телекоммуникации, аэрокосмическая и защита.
В 2016 году Intersil была приобретена Renesas Electronics Corporation, японской полупроводниковой компании.
Бренд и технология Intersil продолжают разрабатывать и продавать в рамках портфеля продуктов Renesas.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com