поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

MRFG35002N6AT1 датащи (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

MRFG35002N6AT1 Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc
номер детали MRFG35002N6AT1
скачать  MRFG35002N6AT1 скачать

объем файла   187.31 Kbytes
Page   11 Pages
производитель  FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]
домашняя страница  http://www.freescale.com
Logo FREESCALE - Freescale Semiconductor, Inc
подробное описание детали Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

MRFG35002N6AT1 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
MRFG35002N6AT1 Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc

номер детали MRFG35002N6AT1
скачать  MRFG35002N6AT1 Click to download

объем файла   187.31 Kbytes
Page   11 Pages
производитель  FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]
домашняя страница  http://www.freescale.com
Logo FREESCALE - Freescale Semiconductor, Inc
подробное описание детали Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

MRFG35002N6AT1 датащи (HTML) - Freescale Semiconductor, Inc

Back Button MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 1Page - Freescale Semiconductor, Inc MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 2Page - Freescale Semiconductor, Inc MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 3Page - Freescale Semiconductor, Inc MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 4Page - Freescale Semiconductor, Inc MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 5Page - Freescale Semiconductor, Inc MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 6Page - Freescale Semiconductor, Inc MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 7Page - Freescale Semiconductor, Inc MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 8Page - Freescale Semiconductor, Inc MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 9Page - Freescale Semiconductor, Inc MRFG35002N6AT1 Datasheet HTML 10Page - Freescale Semiconductor, Inc Next Button 

MRFG35002N6AT1 Информация о продукте

3.5 GHz, 1.5 W, 6 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.

• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, IDQ = 65 mA, Pout = 158 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
   Power Gain — 10 dB
   Drain Efficiency — 26.5%
   ACPR @ 5 MHz Offset — -42 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
• 1.5 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW

Features
• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.




Аналогичный номер детали - MRFG35002N6AT1

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Freescale Semiconductor...
MRFG35002N6T1 FREESCALE-MRFG35002N6T1 Datasheet
212Kb / 12P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35002N6T1 FREESCALE-MRFG35002N6T1 Datasheet
193Kb / 12P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35002N6T1 FREESCALE-MRFG35002N6T1_08 Datasheet
193Kb / 12P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
More results


Аналогичное описание - MRFG35002N6AT1

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Freescale Semiconductor...
MRFG35010MT1 FREESCALE-MRFG35010MT1 Datasheet
516Kb / 12P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
logo
NXP Semiconductors
MRFG35010A NXP-MRFG35010A Datasheet
490Kb / 18P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
Rev. 2, 12/2008
logo
Freescale Semiconductor...
MRFG35005ANT1 FREESCALE-MRFG35005ANT1 Datasheet
452Kb / 13P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003N6AT1 FREESCALE-MRFG35003N6AT1 Datasheet
221Kb / 11P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
logo
NXP Semiconductors
MRFG35010AN NXP-MRFG35010AN Datasheet
1Mb / 25P
   Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor
Rev. 4, 8/2013
logo
Freescale Semiconductor...
MRFG35003M6T1 FREESCALE-MRFG35003M6T1_06 Datasheet
132Kb / 12P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003ANT1 FREESCALE-MRFG35003ANT1 Datasheet
473Kb / 18P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005MT1 FREESCALE-MRFG35005MT1_06 Datasheet
132Kb / 12P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010NT1 FREESCALE-MRFG35010NT1 Datasheet
173Kb / 10P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010R1 FREESCALE-MRFG35010R1 Datasheet
373Kb / 11P
   Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
More results




О Freescale Semiconductor, Inc


Freescale Semiconductor была американской полупроводниковой компанией, которая была основана в 1948 году.
Компания была ведущим поставщиком микроконтроллеров, датчиков и других полупроводниковых продуктов для различных применений на автомобильных, промышленных и потребительских рынках.
Продукты Freescale были известны своей высокой производительностью, низким энергопотреблением и небольшим форм -фактором.
Компания была приобретена NXP Semiconductors в 2015 году, и ее продукты и технологии продолжают разрабатывать и продавать под брендом NXP.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com